Отзывов нет
Общие характеристики
Тип памяти
DDR
Форм-фактор
SODIMM 200-контактный
Тактовая частота
333 МГц
Пропускная способность
2700 МБ/с
Объем
1 модуль 256 МБ
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тайминги
CAS Latency (CL)
2.5
RAS to CAS Delay (tRCD)
3
Row Precharge Delay (tRP)
3
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля
8, односторонняя упаковка
Напряжение питания
2.5 В
Количество ранков
1
