Отзывов нет
Общие характеристики
Тип памяти
DDR
Форм-фактор
SODIMM 200-контактный
Тактовая частота
266 МГц
Пропускная способность
2100 МБ/с
Объем
1 модуль 1 ГБ
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тайминги
CAS Latency (CL)
2.5
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля
8, односторонняя упаковка
Напряжение питания
2.5 В
Количество ранков
1
Совместимость
TOSHIBA Tecra M1, S1, Satellite Pro, Satellite, Portege
