Отзывов нет
Общие характеристики
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM 260-контактный
Тактовая частота
3200 МГц
Пропускная способность
25600 МБ/с
Объем
1 модуль 8 ГБ
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тайминги
CAS Latency (CL)
22
RAS to CAS Delay (tRCD)
22
Row Precharge Delay (tRP)
22
Activate to Precharge Delay (tRAS)
52
Дополнительно
Напряжение питания
1.2 В
