Отзывов нет
Общие характеристики
Тип памяти
DDR2
Форм-фактор
SODIMM 200-контактный
Тактовая частота
800 МГц
Пропускная способность
6400 МБ/с
Объем
1 модуль 2 ГБ
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тайминги
CAS Latency (CL)
5
RAS to CAS Delay (tRCD)
5
Row Precharge Delay (tRP)
5
Activate to Precharge Delay (tRAS)
18
Дополнительно
Напряжение питания
1.8 В
Гарантийный срок
99 мес.
